9 поколение V-NAND: чего ждать и что изменилось?

В июле 2023 года компания Samsung объявила о планах начать массовое производство 9 поколения V-NAND уже во второй половине 2024 года.

V-NAND является основой флэш-памяти во многих современных твердотельных накопителях (SSD). Это энергонезависимая память, которая способна хранить данные даже после отключения питания. V-NAND обеспечивает высокую скорость чтения и записи данных, что имеет решающее значение для производительности SSD. С каждым новым поколением V-NAND становится всё более быстрым, ёмким и энергоэффективным.

Основные характеристики 9 генерации V-NAND

9 поколение V-NAND обещает быть быстрым и энергоэффективным, обеспечивая скорость чтения до 3200 Мбит/с и скорость записи до 2800 Мбит/с. Это значительный прирост по сравнению с предыдущими поколениями, которые достигали лишь скоростей 1700-2100 Мбит/с для чтения и 1400-1600 Мбит/с для записи.

Это означает, что приложения, которые зависят от быстрых твердотельных накопителей, такие как виртуальные машины, обработка данных, облачные вычисления и другие, будут работать ещё более эффективно.

Преимущества 9 поколения

• Высокая скорость чтения/записи данных: до 3.2 Гбит/c.
• Увеличенная плотность хранения информации.
• Более высокая надежность и долговечность.

Однако стоит помнить, что это только слухи и пока нет официального подтверждения этой информации от Samsung. Поэтому относитесь к этой информации с долей скепсиса.